氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光。如：硅片、化合物晶体、精密光学器件、宝石等的抛光加工。

研磨液的添加量是根据水质和产生切削屑来决定的，水质硬切削量多，则研磨液的添加量应多些。由于离心式研磨机在相同的时间内切屑量多，所以研磨液的添加量应多些。研磨液少量滴入滚筒内被水搅匀后，在光整时会粘附在零件与磨料的表面，对金属表面氧化膜的化学作用，使其软化，易于从表面研磨除去，以提高研磨效率。

CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。

抛光液是一种不含任何硫、磷、氯添加剂的水溶性抛光剂，抛光液具有良好的去油污，防锈，清洗和增光性能，并能使金属制品显露出真实的金属光泽。性能稳定、，对环境无污染等优点。